永利集团

产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG032N08NS1B6

HYG032N08NS1B6

此器件为80V、2.5mΩ、TO-263-6L封装产品,接纳SGT流片工艺,该器件可满足如逆变器,电机驱动等应用领域。

特性

低内阻      

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

领先的封装工艺




优势

抗攻击能力强   

通态损耗小

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

稳定的工艺能力



应用

逆变器,电动车控制器

HYG032N08NS1B6

模型

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