此器件为 P 沟道、-30V耐压、21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池�；ぐ宓扔τ昧煊�。
特性
低内阻
切合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关，DC-DC，电池�；ぐ�
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